期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：可靠性
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2010, vol.110, no.99

题名作者出版年年卷期
Magnetic properties of TbFeCo films with Au underlayer for perpendicular magnetic recordingSongtian LI; Xiaoxi LIU; Akimitsu MORISAKO20102010, vol.110, no.261
グラファイト触媒を用いたHW-CVD法によるSiC薄膜の低温形成坂口優也; 中村嘉孝; 有馬潤; 森山和久; 林部林平; 阿部克也20102010, vol.110, no.261
直接窒化法で形成したSiC表面窒化層の厚さと界面特性の評価鈴木真一郎; 村田裕亮; 逸見充則; 山上朋彦; 林部林平; 上村喜一20102010, vol.110, no.261
FTS法にUBMS法を組み合わせたSrAl_2O_4:Eu,Dy薄膜の作製久野敬史; 齋藤稔; 小林和晃; 清水英彦; 岩野春男; 川上貴浩; 福嶋康夫; 永田向太郎20102010, vol.110, no.261
MCR-CVD法によるフッ素フリータングステン成長渡邉雄仁; 柴田明; 鹿又健作; 鈴木貴彦; 廣瀬文彦20102010, vol.110, no.261
MIS型ショットキー接触の電流電圧特性を利用した窒化膜／SiC界面特性の評価村田裕亮; 鈴木真一郎; 小林尚平; 山上朋彦; 林部林平; 上村喜一20102010, vol.110, no.261
高周波スパッタリングによるニッケル酸化物半導体の作製及び評価永田篤史; 内田和男; 小泉淳; 小野洋; 野崎眞次20102010, vol.110, no.261
パルスモードホットメッシュCVD法によるGaN成長条件の最適化永田一樹; 里本宗一; 片桐裕則; 神保和夫; 末光真希; 遠藤哲郎; 伊藤隆; 中澤日出樹; 成田克; 安井寛治20102010, vol.110, no.261
Alq_3/PEDOTを用いたスピンコート法による2層低分子有機EL薄膜の簡易作製中條妃奈; 野田淳史; 岩田展幸; 山本寛20102010, vol.110, no.261
横方向DCELデバイスにおけるZnOナノロッド上でのEL蛍光体の堆積形態の影響佐藤知正; 松澤友紀; 金城貴樹; 平手孝士20102010, vol.110, no.261
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