期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：可靠性
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2010, vol.110, no.99

题名作者出版年年卷期
Si基板上へのGaNP層及びInAs系量子ドット成長の検討田辺悟; 西尾礼; 小林由貴; 根本幸祐; 宮本智之20102010, vol.110, no.272
SiCを基板に用いた減圧HVPE法によるAlN成長奥村建太; 野村拓也; 三宅秀人; 平松和政; 江龍修20102010, vol.110, no.272
触媒反応により生成した高エネルギーH_2Oを用いてサファイア基板上に成長したZnO結晶薄膜の光学特性三浦仁嗣; 大谷孝史; 黒田朋義; 西山洋; 安井寛治20102010, vol.110, no.272
疑似(111)Al基板上GaN薄膜のRF-MBE成長本田徹; 林才人; 後藤大雅; 井垣辰浩20102010, vol.110, no.272
RF-MBE法を用いたr面サファイア基板上A面InN結晶高品質化に関する検討荒木努; 川島圭介; 山口智広; 名西憓之20102010, vol.110, no.272
非極性InGaN量子井戸における偏光特性の既報告実験データの統一的解釈山口敦史; 小島一信20102010, vol.110, no.272
減圧HVPE法による周期溝加工AlN／サファイア上へのELO-AlN藤田浩平; 三宅秀人; 平松和政; 乗松潤; 平山秀樹20102010, vol.110, no.272
多重台形ナノチャネルAlGaN/GaN HEMTの電流制御性大井幸多; 橋詰保20102010, vol.110, no.272
電子線励起したAlGaN/AlN量子井戸からの100mW深紫外発光大音隆男; Ryan G. Banal; 片岡研; 船戸充; 川上養一20102010, vol.110, no.272
AlNテンプレート上高効率AlInN紫外線受光素子酒井佑輔; 市川淳規; 江川孝志20102010, vol.110, no.272
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