期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：可靠性
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2010, vol.110, no.99

题名作者出版年年卷期
非極性InGaN量子井戸における偏光特性の既報告実験データの統一的解釈山口敦史; 小島一信20102010, vol.110, no.273
空間時間分解PLによるInGaN/GaN単一量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの評価－SNOMによるEfficiency droop機構の解明橋谷享; 金田昭男; 船戸充; 川上義一20102010, vol.110, no.273
減圧HVPE法による周期溝加工AlN／サファイア上へのELO-AlN藤田浩平; 三宅秀人; 平松和政; 乗松潤; 平山秀樹20102010, vol.110, no.273
SiCを基板に用いた減圧HVPE法によるAlN成長奥村建太; 野村拓也; 三宅秀人; 平松和政; 江龍修20102010, vol.110, no.273
RF-MBE法を用いたr面サファイア基板上A面InN結晶高品質化に関する検討荒木努; 川島圭介; 山口智広; 名西憓之20102010, vol.110, no.273
Si基板上へのGaNP層及びInAs系量子ドット成長の検討田辺悟; 西尾礼; 小林由貴; 根本幸祐; 宮本智之20102010, vol.110, no.273
電子線励起したAlGaN/AlN量子井戸からの100mW深紫外発光大音隆男; Ryan G. Banal; 片岡研; 船戸充; 川上養一20102010, vol.110, no.273
AlNテンプレート上高効率AlInN紫外線受光素子酒井佑輔; 市川淳規; 江川孝志20102010, vol.110, no.273
GaN自立基板を用いた縦型ダイオード八木修一; 平田祥子; 住田行常; 別所公博; 河合弘治; 松枝敏晴; 碓井彰20102010, vol.110, no.273
低転位GaN基板上縦型HFET岡田政也; 斎藤雄; 横山満徳; 中田健; 八重樫誠司; 片山浩二; 上野昌紀; 木山誠; 勝山造; 中村孝夫20102010, vol.110, no.273
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