期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：可靠性
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2010, vol.110, no.99

题名作者出版年年卷期
金属電極／高誘電率絶縁膜界面の物理を中心としたhigh-k/metalゲートスタックの実効仕事関数変調機構の理解細井卓治; 佐伯雅之; 喜多祐起; 奥雄大; 有村拓晃; 北野尚武; 白石賢二; 山田啓作; 志村考功; 渡部平司20102010, vol.110, no.274
高速応答の低ドロップアウト（LDO）レギュレータに関する研究Fouzhiwei TONG; 範公可20102010, vol.110, no.274
磁性体メモリ最新動向と多値スピン注入MRAM（MLC-SPRAM）石垣隆士; 河原尊之; 竹村理一郎; 小埜和夫; 伊藤顕知; 大野英男20102010, vol.110, no.274
MOSFETにおけるランダムテレグラフシグナルの統計的評価方法寺本章伸; 阿部健一; 須川成利; 大見忠弘20102010, vol.110, no.274
形状シミュレーションによるSiO_2及びSiエッチングのモデル化と、BiCSメモリホールエッチング市川尚志; 一之瀬大吾; 川端研二; 玉置直樹20102010, vol.110, no.274
ばらつき·信頼性シミュレーション技術の最新動向－SISPAD2010併設ワークショップ1のレビュー鳥山周一20102010, vol.110, no.274
自動化超高速化量子分子動力学法の開発とシリコン表面のドライ·ウェットおよびラジカル酸化反応シミュレーション坪井秀行; 稲葉賢二; 伊勢真理子; 林由紀江; 鈴木裕佳; 佐藤裕美; 小原幸子; 南雲亮; 三浦隆治; 鈴木愛; 畠山望; 遠藤明; 高羽洋充; 久保百司; 宮本明20102010, vol.110, no.274
SPICEモデルを用いた特性合わせ込みにおける誤差指標の提案坂本浩則; 飯塚貴弘20102010, vol.110, no.274
GAA MOSFETの極限微細化指針の検討－モデルによるサブ30nmチャネルデバイスの実現性に関する考察仲野駿佑; 大村泰久20102010, vol.110, no.274
インバータセルにおけるSingle-Event-Transientパルス発生のモデリング田中克彦; 中村英之; 上村大樹; 竹内幹; 福田寿一; 熊代成孝; 最上徹20102010, vol.110, no.274
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