期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：可靠性
收藏年代2000～2024



全部

2000 2001 2002 2003 2004 2005
2006 2007 2008 2009 2010 2011
2012 2013 2014 2015 2016 2017
2018 2019 2020 2021 2022 2023
2024

2010, vol.110, no.10 2010, vol.110, no.100 2010, vol.110, no.102 2010, vol.110, no.103 2010, vol.110, no.110 2010, vol.110, no.113
2010, vol.110, no.122 2010, vol.110, no.13 2010, vol.110, no.131 2010, vol.110, no.133 2010, vol.110, no.137 2010, vol.110, no.138
2010, vol.110, no.139 2010, vol.110, no.14 2010, vol.110, no.140 2010, vol.110, no.15 2010, vol.110, no.150 2010, vol.110, no.154
2010, vol.110, no.155 2010, vol.110, no.156 2010, vol.110, no.159 2010, vol.110, no.163 2010, vol.110, no.164 2010, vol.110, no.165
2010, vol.110, no.166 2010, vol.110, no.171 2010, vol.110, no.178 2010, vol.110, no.179 2010, vol.110, no.180 2010, vol.110, no.181
2010, vol.110, no.182 2010, vol.110, no.183 2010, vol.110, no.185 2010, vol.110, no.186 2010, vol.110, no.189 2010, vol.110, no.197
2010, vol.110, no.200 2010, vol.110, no.201 2010, vol.110, no.202 2010, vol.110, no.205 2010, vol.110, no.210 2010, vol.110, no.213
2010, vol.110, no.216 2010, vol.110, no.221 2010, vol.110, no.228 2010, vol.110, no.230 2010, vol.110, no.234 2010, vol.110, no.235
2010, vol.110, no.237 2010, vol.110, no.239 2010, vol.110, no.241 2010, vol.110, no.244 2010, vol.110, no.247 2010, vol.110, no.25
2010, vol.110, no.255 2010, vol.110, no.258 2010, vol.110, no.259 2010, vol.110, no.261 2010, vol.110, no.262 2010, vol.110, no.270
2010, vol.110, no.272 2010, vol.110, no.273 2010, vol.110, no.274 2010, vol.110, no.277 2010, vol.110, no.279 2010, vol.110, no.281
2010, vol.110, no.283 2010, vol.110, no.285 2010, vol.110, no.298 2010, vol.110, no.299 2010, vol.110, no.30 2010, vol.110, no.306
2010, vol.110, no.307 2010, vol.110, no.31 2010, vol.110, no.313 2010, vol.110, no.314 2010, vol.110, no.315 2010, vol.110, no.316
2010, vol.110, no.320 2010, vol.110, no.322 2010, vol.110, no.327 2010, vol.110, no.33 2010, vol.110, no.331 2010, vol.110, no.335
2010, vol.110, no.337 2010, vol.110, no.338 2010, vol.110, no.34 2010, vol.110, no.343 2010, vol.110, no.344 2010, vol.110, no.345
2010, vol.110, no.350 2010, vol.110, no.351 2010, vol.110, no.352 2010, vol.110, no.353 2010, vol.110, no.359 2010, vol.110, no.36
2010, vol.110, no.360 2010, vol.110, no.363 2010, vol.110, no.366 2010, vol.110, no.367 2010, vol.110, no.38 2010, vol.110, no.380
2010, vol.110, no.383 2010, vol.110, no.384 2010, vol.110, no.385 2010, vol.110, no.387 2010, vol.110, no.389 2010, vol.110, no.395
2010, vol.110, no.396 2010, vol.110, no.403 2010, vol.110, no.406 2010, vol.110, no.407 2010, vol.110, no.408 2010, vol.110, no.412
2010, vol.110, no.415 2010, vol.110, no.416 2010, vol.110, no.418 2010, vol.110, no.419 2010, vol.110, no.420 2010, vol.110, no.422
2010, vol.110, no.424 2010, vol.110, no.43 2010, vol.110, no.432 2010, vol.110, no.437 2010, vol.110, no.439 2010, vol.110, no.44
2010, vol.110, no.442 2010, vol.110, no.443 2010, vol.110, no.445 2010, vol.110, no.447 2010, vol.110, no.451 2010, vol.110, no.459
2010, vol.110, no.465 2010, vol.110, no.469 2010, vol.110, no.471 2010, vol.110, no.48 2010, vol.110, no.5 2010, vol.110, no.51
2010, vol.110, no.53 2010, vol.110, no.54 2010, vol.110, no.57 2010, vol.110, no.6 2010, vol.110, no.62 2010, vol.110, no.63
2010, vol.110, no.66 2010, vol.110, no.7 2010, vol.110, no.71 2010, vol.110, no.74 2010, vol.110, no.82 2010, vol.110, no.86
2010, vol.110, no.87 2010, vol.110, no.9 2010, vol.110, no.90 2010, vol.110, no.91 2010, vol.110, no.96 2010, vol.110, no.98
2010, vol.110, no.99

题名作者出版年年卷期
ガラス上に形成された大粒径を有する低温poly-Si_(1-x)Ge_x薄膜トランジスタの開発岡部泰典; 近藤健二; 広瀬研太; 鈴木順季; 北原邦紀; 原明人20102010, vol.110, no.351
裏面からのレーザー照射による2層同時結晶化LTPS-TFTメモリの特性評価松江将博; 市川和典; 赤松浩; 山崎浩司; 堀田昌宏; 浦同行治20102010, vol.110, no.351
Poly-Si TFTによるデバイスレベルのニューラルネットワーク－複数回の学習とAND·OR·EXORの学習宮谷友彰; 藤田悠佑; 三島大樹; 谷口仁; 笠川知洋; 木村睦20102010, vol.110, no.351
Siゲートを持つDNA電界効果トランジスタに関する研究高城祥吾; 松尾直人; 山名一成; 部家彰; 高田忠雄; 坂本憲児; 横山新20102010, vol.110, no.351
高圧水蒸気熱処理によるa-In_2Ga_2Zn_1O_7 TFTの特性改善効果丸山智己; 藤井茉美; 笠見雅司; 矢野公規; 堀田昌宏; 石河泰明; 浦岡行治20102010, vol.110, no.351
多原子分子イオンビームによるシリコン表面照射効果竹内光明; 龍頭啓充; 高岡義寛20102010, vol.110, no.351
ホトルミネセンス法およびDLTS法によるシリコン極浅接合の再結晶化過程の評価奥谷真士; 高島周平; 吉本昌広; Woo Sik Yoo20102010, vol.110, no.351
結晶系シリコン太陽電池におけるドーパントプレカーサー制御によるレーザードーピングプロセスの最適化舟谷友宏; 平田憲司; 高山環; 長谷川光洋; 冬木隆20102010, vol.110, no.351
多結晶シリコン太陽電池の作製における室温レーザードーピング長谷川光洋; 平田憲司; 高山環; 舟谷友宏; 冬木隆20102010, vol.110, no.351
X線検出素子（Silicon Drift Detector）用Si基板の高抵抗率化－シミュレーションによる評価北野谷征吾; 西川誠二; 松浦秀治20102010, vol.110, no.351
12



制造业外文文献服务平台