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期刊
ISSN
0913-5685
刊名
電子情報通信学会技術研究報告
参考译名
电子信息通信学会技术研究报告:可靠性
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2012, vol.112, no.84
2012, vol.112, no.92
2012, vol.112, no.95
2012, vol.112, no.96
2012, vol.112, no.98
2012, vol.112, no.99
题名
作者
出版年
年卷期
書込み速度443MB/sを実現する8Mb多層クロスポイントReRAMマクロ
川原昭文; 東亮太郎; 池田雄一郎; 河合賢; 加藤佳一; 早川幸夫; 辻清孝; 米田慎一; 姫野敦史; 島川一彦; 高木剛; 三河巧; 青野邦年
2012
2012, vol.112, no.15
19nm 64Gbit多値(2bit/cell)NANDフラッシュメモリの開発
柴田昇; 神田和重; 久田俊記; 磯部克明; 佐藤学; 清水有威; 清水孝洋; 杉本貴宏; 小林智浩; 犬塚和子; 金川直晃; 梶谷泰之; 小川武志; 中井潤; 岩佐清明
2012
2012, vol.112, no.15
SSDシステム信頼性-大容量記憶装置を半導体で実現する課題
助川博
2012
2012, vol.112, no.15
エラー予測LDPCとエラー回復機構により10倍の長寿命,エラーを76%削減したSSD
田中丸周平; 柳原裕貴; 竹内健
2012
2012, vol.112, no.15
メモリインターフェース用非接触高速データ伝送技術
石黒仁揮; 尹元柱; 中野慎也; 水原渉; 小菅敦丈; 三浦典之; 黒田忠広
2012
2012, vol.112, no.15
3次元積層ソリッド·ステート·ドライブ向け、4倍高速、15%低消費電力V_(PASS)(10V)、V_(PGM)(20V)生成電源システム
畑中輝義; 竹内健
2012
2012, vol.112, no.15
MTJベース完全並列形不揮発TCAMの設計
松永翔雲; 羽生貴弘
2012
2012, vol.112, no.15
3端子磁壁移動型セルを用いた不揮発性コンテントアドレッサブルメモリ
根橋竜介; 崎村昇; 辻幸秀; 深見俊輔; 本庄弘明; 齊藤信作; 三浦貞彦; 石綿延行; 木下啓蔵; 羽生貴弘; 遠藤哲郎; 笠井直記; 大野英男; 杉林直彦
2012
2012, vol.112, no.15
8T DP-SRAMのWrite-/Read-Disturb問題とその対策回路
石井雄一郎; 塚本康正; 新居浩二; 藤原英弘; 藪内誠; 田中浩司; 田中信二; 島崎靖久
2012
2012, vol.112, no.15
高速,低消費電力6T-SRAMを実現する電荷の同時注入による不良セルの修復技術
宮地幸祐; 鈴木利一; 宮野信治; 竹内健
2012
2012, vol.112, no.15
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