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期刊
ISSN
0913-5685
刊名
電子情報通信学会技術研究報告
参考译名
电子信息通信学会技术研究报告:可靠性
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2012, vol.112, no.92
2012, vol.112, no.95
2012, vol.112, no.96
2012, vol.112, no.98
2012, vol.112, no.99
题名
作者
出版年
年卷期
MOS構造を有する太陽電池による変換効率の向上
小林孝裕; 松尾直人; 部家彰
2012
2012, vol.112, no.337
結晶系Si太陽電池による逆方向エレクトロルミネッセンス法を用いた電気的特性の解析
杉村恵美; 嶋崎成一; 谷あゆみ; 冬木隆
2012
2012, vol.112, no.337
プロトンビームを用いた強誘電体微構造の作製
山口正樹; 渡辺和貴; 増田陽一郎
2012
2012, vol.112, no.337
HfO_2-Conducting Bridge memoryにおけるリセットパラメータの相関関係
鶴田茂之; 木下健太郎; 長谷川祥; 榎本雄太郎; 岸田悟
2012
2012, vol.112, no.337
微細領域に閉じ込められたReRAMフィラメントのメモリ特性
高相圭; 木下健太郎; 福原貴博; 澤居優圭; 岸田悟
2012
2012, vol.112, no.337
金属/TiO_2/金属積層構造の抵抗スイッチング特性に対する電極材料の影響
沖元直樹; 岩田達哉; 西佑介; 木本恒暢
2012
2012, vol.112, no.337
電子線照射によるSiCの正孔の各種散乱機構の変化
村田耕司; 森根達也; 松浦秀治; 小野田忍; 大島武
2012
2012, vol.112, no.337
超高耐圧SiC PiNダイオードの作製と低オン抵抗化
梶直樹; 丹羽弘樹; 須田淳; 木本恒暢
2012
2012, vol.112, no.337
4H-SiC(11-20)面上に形成したMOS界面へのリン導入による界面準位密度の低減効果
梅澤奈央; 矢野裕司; 畑山智亮; 冬木隆
2012
2012, vol.112, no.337
イオン液体BMIM-PF_6イオンビーム照射によるガラス基板の表面改質
竹内光明; 濱口拓也; 龍頭啓充; 高岡義寛
2012
2012, vol.112, no.337
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