期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：可靠性
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题名作者出版年年卷期
Physical Mechanism Determining Ge p-and n-MOSFETs Mobility in High N_s Region and Mobility Improvement by Atomically Flat GeO_x/Ge InterfacesRui Zhang; Po-chin Huang; Ju-Chin Lin; Mitsuru Takenaka; Shinichi Takagi20122012, vol.112, no.421
14nm世代以降に向けたアモルファス金属ゲートによるFinFETのV_tおよびG_mばらつき抑制技術松川貴; 柳永勛; 水林亘; 塚田順一; 山内洋美; 遠藤和彦; 石川由紀; 大内真一; 太田裕之; 右田真司; 森田行則; 昌原明植20122012, vol.112, no.421
本質的なグラフェン／金属界面特性長汐晃輔; 井福亮太; 森山喬史; 西相知紀; 鳥海明20122012, vol.112, no.421
AlONゲート絶縁膜導入によるSiCパワーMOSFETの高性能化及び信頼性向上細井卓治; 東雲秀司; 柏木勇作; 保坂重敏; 中村亮太; 箕谷周平; 中野佑紀; 浅原浩和; 中村孝; 木本恒暢; 志村考功; 渡部平司20122012, vol.112, no.421
イメージセンサにおけるオンチップ光学系の進化寺西信一; 渡辺尚志; 上田壮彦; 仙石直久20122012, vol.112, no.421
ランダム·テレグラフ·ノイズが低電圧CMOS論理回路の遅延ゆらぎに及ぼす影響松本高士; 小林和淑; 小野寺秀俊20122012, vol.112, no.421
ランダムテレグラフノイズ（RTN）の統計的評価手法と微細MOSFETばらつきへの影響三木浩史; 手賀直樹; 山岡雅直; D. J. Frank; A. Bansal; 小林正治; K. Cheng; C. R. D'Emic; Z. Ren; S. Wu; J.-B. Yau; M. A. Guillorn; D.-G. Park; W. Haensch; E. Leobandung; 鳥居和功20122012, vol.112, no.421
相補型原子スイッチを用いた不揮発プログラマブルセルとその回路マッピング実証宮村信; 多田宗弘; 阪本利司; 伴野直樹; 岡本浩一郎; 井口憲幸; 波田博光20122012, vol.112, no.421
高性能モバイルCPUの低消費電力化を実現する新規DRAM/MRAMハイブリッドメモリ安部恵子; 野口紘希; 北川英二; 下村尚治; 伊藤順一; 藤田忍20122012, vol.112, no.421
スピン注入書き込みMRAM技術の進展と、そのノーマリオフコンピューティング実現に対する効果與田博明; 藤田忍; 下村尚治; 北川英二; 安部恵子; 野村久美子; 野口紘希; 伊藤順一20122012, vol.112, no.421
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