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期刊
ISSN
0913-5685
刊名
電子情報通信学会技術研究報告
参考译名
电子信息通信学会技术研究报告:可靠性
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2013, vol.113, no.468
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2013, vol.113, no.74
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2013, vol.113, no.78
2013, vol.113, no.80
2013, vol.113, no.81
2013, vol.113, no.82
2013, vol.113, no.87
2013, vol.113, no.96
2013, vol.113, no.97
2013, vol.113, no.99
题名
作者
出版年
年卷期
Impact of metal gate electrodes on electrical properties of InGaAs MOS gate stacks
Chih-Yu CHANG; Masafumi YOKOYAMA; Sang-Hyeon KIM; Osamu ICHIKAWA; Takenori OSADA; Masahiko HATA; Mitsuru TAKENAKA; Shinichi TAKAGI
2013
2013, vol.113, no.87
4H-SiC MOS界面の電子スピン共鳴分光評価
梅田享英; 岡本光央; 小杉亮治; 荒井亮; 佐藤嘉洋; 原田信介; 奥村元; 牧野高紘; 大島武
2013
2013, vol.113, no.87
Al_2O_3/Ge構造における酸化機構の解明と界面反応がその特性に及ぼす影響
柴山茂久; 加藤公彦; 坂下満男; 竹内和歌奈; 田岡紀之; 中塚理; 財満鎮明
2013
2013, vol.113, no.87
酸化剤分圧およびSi拡散の制御によるPr酸化膜結晶構造制御
加藤公彦; 坂下満男; 竹内和歌奈; 田岡紀之; 中塚理; 財満鎮明
2013
2013, vol.113, no.87
Metal/High-k/Geゲートスタックにおけるジャーマナイド形成とその電気特性への影響
細井卓治; 秀島伊織; 箕浦佑也; 田中亮平; 吉越章隆; 寺岡有殿; 志村考功; 渡部平司
2013
2013, vol.113, no.87
HfO_2/Ge界面へのルチル型TiO_2挿入によるGeO_x生成の抑制
小橋和義; 長田貴弘; 生田目俊秀; 山下良之; 小椋厚志; 知京豊裕
2013
2013, vol.113, no.87
ゲートスタックへのHf導入によるメタル·ソース/ドレインGe p-MOSFETの高移動度化
山本圭介; 佐田隆宏; 王冬; 中島寛
2013
2013, vol.113, no.87
Fe_3Si/Geの界面構造によるSBHとスピン電流の変調:第一原理計算による理論的検討
小日向恭祐; 中山隆史
2013
2013, vol.113, no.87
MONOS型メモリを用いた長期保存メモリの設計指針
白川裕規; 山口慶太; 神谷克政; 白石賢二
2013
2013, vol.113, no.87
リモートH_2プラズマ支援によるCoPtナノドットの高密度形成と帯電·帯磁特性評価
牧原克典; 福岡諒; 張海; 壁谷悠希; 大田晃生; 宮崎誠一
2013
2013, vol.113, no.87
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