期刊


ISSN0040-9413
刊名トランジスタ技術
参考译名晶体管技术别册
收藏年代2009～2024



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2017, vol.54, no.1 2017, vol.54, no.1 増刊 2017, vol.54, no.10 2017, vol.54, no.10 増刊 2017, vol.54, no.11 2017, vol.54, no.11 別冊
2017, vol.54, no.11 増刊 2017, vol.54, no.12 2017, vol.54, no.2 2017, vol.54, no.2 増刊 2017, vol.54, no.3 2017, vol.54, no.3 別冊
2017, vol.54, no.4 2017, vol.54, no.5 2017, vol.54, no.5 別冊 2017, vol.54, no.5 増刊 2017, vol.54, no.5 増刊1 2017, vol.54, no.6
2017, vol.54, no.6 増刊 2017, vol.54, no.7 2017, vol.54, no.7 別冊 2017, vol.54, no.8 2017, vol.54, no.8 別冊 2017, vol.54, no.8 増刊
2017, vol.54, no.9 2017, vol.54, no.9 別冊

题名作者出版年年卷期
［実験戦2］GaNトランジスタ［カスケード型」vs「新型MOSFET」山本真義20172017, vol.54, no.9
［実験戦3］GaNトランジスタ「JFET型」vs「新型MOSFET」池田健太郎20172017, vol.54, no.9
スイッチング特性調べるなら黙って「ダブル·パルス試験回路」池田健太郎20172017, vol.54, no.9
［実験戦4］インダクタ負荷時の還流ダイオード損失対決池田健太郎20172017, vol.54, no.9
秋葉原のゴマ粒GaNで作る400／600Wパワー·モジュール大塚康二20172017, vol.54, no.9
金属よりも1万倍以上流れやすい！GaN速パワー弾の科学大塚康二20172017, vol.54, no.9
GaN HEMTは耐圧100V以上でパフォーマンスが出る大堀康二20172017, vol.54, no.9
基礎の基礎！LEDが光るメカニズム大塚康二20172017, vol.54, no.9
最先端トランジスタ「GaN HEMT」が秋葉原に登場した理由大塚康二20172017, vol.54, no.9
薔薇の花には…超高性能GaNの怪奇現象「コラプス」池田健太郎20172017, vol.54, no.9
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