期刊


ISSN0368-7147
刊名Квантовая электроника
参考译名量子电子学
收藏年代2000～2024



全部

2000 2001 2002 2003 2004 2005
2006 2007 2008 2009 2010 2011
2012 2013 2014 2015 2016 2017
2018 2019 2020 2021 2022 2023
2024

2019, vol.49, no.1 2019, vol.49, no.10 2019, vol.49, no.11 2019, vol.49, no.12 2019, vol.49, no.2 2019, vol.49, no.3
2019, vol.49, no.4 2019, vol.49, no.5 2019, vol.49, no.6 2019, vol.49, no.7 2019, vol.49, no.8 2019, vol.49, no.9

题名作者出版年年卷期
Полупроводниковые лазеры на основе AlGaInAs/InP с повышенным электронным барьеромА. А. Мармалюк; А. В. Иванов; В. Д. Курносов; К. В. Курносов; М. А. Ладугин; А. В. Лобинцов; А. А. Падалица; В. И. Романцевич; Ю. Л. Рябоштан20192019, vol.49, no.6
Лазеры на квантовых точках с асимметричными барьерными слоями: близкие к идеальным пороговые и мощностные характеристикиЛ. В. Асрян20192019, vol.49, no.6
Влияние параметров квантоворазмерной области (Al)GaAs/AlGaAs на пороговую плотность тока лазерных диодовМ. А. Ладугин; А. А. Мармалюк20192019, vol.49, no.6
Стимулированное излучение, фотолюминесценция и локализация неравновесных носителей заряда в сверхтонких (монослойных) квантовых ямах GaN/AlNЕ. В. Луценко; Н. В. Ржеуцкий; А. В. Нагорный; А. В. Данильчик; Д. В. Нечаев; В. Н. Жмерик; С. В. Иванов20192019, vol.49, no.6
Стимулированное излучение эпитаксиальных слоев AlGaN, выращенных методом аммиачной молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках сапфираЕ. В. Луценко; Н. В. Ржеуцкий; А. Г. Войнилович; И. Е. Свитенков; А. В. Нагорный; В. А. Шуленкова; Г. П. Яблонский; А. Н. Алексеев; С. И. Петров20192019, vol.49, no.6
Электронные и оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/por-Si(111)П. В. Середин; Д. Л. Голощапов; Д. С. Золотухин; А. С. Леныпин; А. М. Мизеров; И. Н. Арсентьев; Г. Ляйсте; М. Ринке20192019, vol.49, no.6
Стабильный режим генерации лазерного излучения в микропорошках CdSSeМ. С. Леоненя; А. В. Нагорный; Б. Д. Урманов; В. А. Шуленкова; Г. П. Яблонский20192019, vol.49, no.6
Влияние содержания Cd в барьерах на пороговую энергию оже-рекомбинации в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgTe/Cd_xHg_(1-x)Te, излучающих на длине волны 18 мкмМ. А. Фадеев; А. А. Дубинов; В. Я. Алешкин; В. В. Румянцев; В. В. Уточкин; В. И. Гавриленко; Ф. Теп; Х.-В.Хюберс; Н. Н. Михайлов20192019, vol.49, no.6
Генерация разностной частоты в двухчастотном полупроводниковом дисковом лазере: модель с запаздывающей обратной связьюЮ. А. Морозов; М. И. Балакин; Л. А. Кочкуров; А. И. Конюхов; М. Ю. Морозов20192019, vol.49, no.6
Активная область функционально-интегрированного лазера-модулятораЕ. А. Рындин; Б. Г. Коноплев20192019, vol.49, no.6
12



制造业外文文献服务平台