期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：硅器件和材料
收藏年代2000～2025



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2020, vol.120, no.126 2020, vol.120, no.205 2020, vol.120, no.239 2020, vol.120, no.273 2020, vol.120, no.352 2020, vol.120, no.359

题名作者出版年年卷期
Investigation of N-doped LaB_6/LaB_xN_y/Si(100) MIS structure and floating-gate memory applicationsKyung Eun PARK; Hideki KAMATA; Shun-ichiro OHMI20202020, vol.120, no.205
A two-step wet etching process for the integration of PdEr/HfO_2 gate stack structure on the gate-first Schottky barrier MOSFETRengie Mark D. MAILIG; Yuichiro ARUGA; Shun-ichiro OHMI20202020, vol.120, no.205
Investigation on Millisecond Solid Phase Crystallization of Amorphous Silicon Films Induced by Micro Thermal Plasma JetHoa Thi Khanh Nguyen; Hiroaki Hanafusa; Yuri Mizukawa; Shohei Hayashi; Seiichiro Higashi20202020, vol.120, no.205
［記念講演］プラズマを利用した原子層制御エッチングプロセス熊倉翔; 本田昌伸20202020, vol.120, no.205
3次元積層に向けた高容量密度·高耐圧SiN絶縁膜粗面トレンチキャパシタの開発齊藤宏河; 吉田彩乃; 黒田理人; 柴田寛; 柴口拓; 栗山尚也; 須川成利20202020, vol.120, no.205
IPAを用いた銅·酸化銅上の表面改質間脇武蔵; 寺本章伸; 石井勝利; 志波良信; 諏訪智之; 東雲秀司; 清水亮; 梅澤好太; 黒田理人; 白井泰雪; 須川成利20202020, vol.120, no.205
強誘電体薄膜BiFeO_3の格子整合とX線構造分析今泉文伸; 仲田陸人20202020, vol.120, no.205
統計的計測によるドレイン-ソース間電圧がランダムテレグラフノイズに与える影響の解析秋元瞭; 黒田理人; 寺本章伸; 間脇武蔵; 市野真也; 諏訪智之; 須川成利20202020, vol.120, no.205



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