期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：微波
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2020, vol.120, no.101 2020, vol.120, no.172 2020, vol.120, no.200 2020, vol.120, no.240 2020, vol.120, no.280 2020, vol.120, no.354
2020, vol.120, no.422 2020, vol.120, no.54 2020, vol.120, no.8

题名作者出版年年卷期
電磁界結合型2分の1波長共振器フィルタの設計理論に関する研究二ッ矢幹基; 石崎俊雄20202020, vol.120, no.354
複数放射素子·複数共振器で構成される3直交軸成分放射60GHz帯平面アンテナの測定評価大平昌敬; 馬哲旺20202020, vol.120, no.354
異なるタイミングの位相情報を用いたTime to Digital Converterの試作結果森野芳昭; 津留正臣20202020, vol.120, no.354
2周波混合ベクトル合成型移相器を用いたV帯受信RFICの試作結果横溝真也; 森野芳昭; 津留正臣20202020, vol.120, no.354
HfSiO_xゲートAlGaN/GaN HEMTsのDC特性とMOS界面評価越智亮太; 前田瑛里香; 生田目俊秀; 塩﨑宏司; 橋詰保20202020, vol.120, no.354
異なるトラップを持つAlGaN/GaN HEMTにおけるサイドゲート効果のデバイスシミュレーションによる検討伊藤海到; 大石敏之20202020, vol.120, no.354
β-Ga_2O_3 MOSFETの高周波特性評価と遅延時間解析上村崇史; 中田義昭; 東脇正高20202020, vol.120, no.354
界面不純物低減によるGaN基板上GaN-HEMTの高効率化熊崎祐介; 多木俊裕; 小谷淳二; 尾崎史朗; 新井田佳孝; 美濃浦優一; 西森理人; 岡本直哉; 佐藤優; 中村哲一; 渡部慶二20202020, vol.120, no.354
InGaAs HEMT寄生抵抗抽出高精度化の検討谷口慶伍; 細谷友崇; 楳田洋太郎; 高野恭弥; 末光哲也; 佐藤昭20202020, vol.120, no.354
ゲート負荷容量部の高調波処理によるCMOSスタック増幅器の高効率化検討竹添慎司; 森野芳昭; 津留正臣20202020, vol.120, no.354
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