期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：硅器件和材料
收藏年代2000～2025



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2021, vol.121, no.138 2021, vol.121, no.212 2021, vol.121, no.235 2021, vol.121, no.365 2021, vol.121, no.366 2021, vol.121, no.46
2021, vol.121, no.71 2021, vol.121, no.8

题名作者出版年年卷期
A study on Ar/N_2-plasma sputtering gas pressure dependence on the LaB_xN_y insulator formation for floating-gate memory applicationsEun-Ki HONG; Shun-ichiro OHMI20212021, vol.121, no.212
A study on Hf-based MONOS nonvolatile memory with HfO_2 and HfON tunneling layer for multi-bit/cell operationJooyoung PYO; Akio Ihara; Shun-ichiro OHMI20212021, vol.121, no.212
[招待講演]シリコン酸化膜とシリコン窒化膜の信頼性に及ぼすフッ素の影響の相違二谷祐一郎20212021, vol.121, no.212
スパッタリング法を用いて形成した酸化ガリウム薄膜の基礎評価今泉文伸20212021, vol.121, no.212
界面層を用いた強誘電性ノンドープHfO_2薄膜形成に関する検討田沼将一; Joong-Won Shin; 大見俊一郎20212021, vol.121, no.212
TMRセンサの高感度化と生体計測への応用大兼幹彦20212021, vol.121, no.212
電流計測プラットフォームを応用したSiN膜中トラップ放電電流の統計的計測齊藤宏河; 鈴木勇人; 朴賢雨; 黒田理人; 寺本章伸; 諏訪智之; 須川成利20212021, vol.121, no.212
トランジスタ構造·動作領域·キャリア走行方向によるRTN挙動の統計的解析秋元暸; 黒田理人; 間脇武蔵; 須川成利20212021, vol.121, no.212



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