期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：硅器件和材料
收藏年代2000～2025



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2021, vol.121, no.138 2021, vol.121, no.212 2021, vol.121, no.235 2021, vol.121, no.365 2021, vol.121, no.366 2021, vol.121, no.46
2021, vol.121, no.71 2021, vol.121, no.8

题名作者出版年年卷期
A Theoretical Study on Strain-Induced Change of Schottky Energy Barrier of Dumbbell-Shape Graphene-Nanoribbon for Highly Sensitive Strain SensorsQinqiang ZHANG; Ken SUZUKI; Hideo MIURA20212021, vol.121, no.235
[招待講演]シリコンIGBTの新展開: スケーリングIGBTと両面ゲートIGBT平本俊郎; 更屋拓哉20212021, vol.121, no.235
[招待講演]統計的回路シミュレーションのための非正規分布モデルパラメータの生成佐藤高史; 塚本裕貴; 辺松; 新谷道広20212021, vol.121, no.235
[招待講演]極低消費電力メモリ·ロジック·AI応用に向けたHfZrO_2系FeFETへの期待高木信一; トープラサートポンカシディット; 羅璇; 名幸瑛心; 王澤宇; 李宗恩; 田原建人; 竹中充; 中根了昌20212021, vol.121, no.235
[招待講演]三次元積層構造に向けた強誘電体HfO_2 FeFETの消去動作の効率化に関する研究小林正治; Fei Mo; Jiawen Xiang; Xiaoran Mei; 沢辺慶起; 更屋拓哉; 平本俊郎; Chun-JungSu; Vita Pi-Ho Hu20212021, vol.121, no.235
[招待講演]プラズマからのイオン衝撃により形成される欠陥構造の解析技術江利口浩二20212021, vol.121, no.235
標準化された電荷密度対電圧特性に基づく新しいしきい値定義の提案竹内潔; 水谷朋子; 更屋拓哉; 小林正治; 平本俊郎20212021, vol.121, no.235
[招待講演]SISPAD 2021レビュー三成英樹20212021, vol.121, no.235
[招待講演]炭素欠陥制御に基づくSiC/SiO_2界面の高品質化小林拓真; 奥田貴史; 立木馨大; 伊藤滉二; 松下雄一郎; 木本恒暢20212021, vol.121, no.235
[招待講演]4H-SiCの高エネルギー輸送における一軸性応力の影響に関するフルバンドモンテカルロ解析西村智也; 永久克己; 園田賢一郎; 緒方完20212021, vol.121, no.235
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