期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：微波
收藏年代2000～2024



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2022, vol.122, no.118 2022, vol.122, no.183 2022, vol.122, no.2 2022, vol.122, no.207 2022, vol.122, no.250 2022, vol.122, no.313
2022, vol.122, no.35 2022, vol.122, no.371 2022, vol.122, no.411 2022, vol.122, no.64

题名作者出版年年卷期
アンダーサンプリング周波数の異なる複数パスによるRFスペクトラム再生法における各パスの伝達関数補正法芝隆司; 古市朋之; 末松憲治20222022, vol.122, no.371
比帯域幅30%以上で単向性の放射パターンを持つ無給電素子装荷広帯域フィルタリングアンテナの設計崎山拳; 大平昌敬; 馬哲旺20222022, vol.122, no.371
複数の仕様に応じたマイクロストリップBPF自動設計のための強化学習手法浅井悠登; 大平昌敬; 馬哲旺20222022, vol.122, no.371
1入力広域帯GaN増幅器のバイアス依存性の測定評価中川祐希; 加保貴奈; 坂田修一; 小松崎優治; 山中宏治20222022, vol.122, no.371
不等間隔くし形安定化回路を用いたX帯670W超高出力IM-FET桑田英悟; 杉谷拓海; 山崎貴嗣; 加茂宣卓; 新庄真太郎20222022, vol.122, no.371
GaN HEMTのGaNトラップが低周波hパラメータに与える影響の検討: デバイスシミュレーション諸隈奨吾; 大塚友絢; 大石敏之; 山口裕太郎; 新庄真太郎; 山中宏治20222022, vol.122, no.371
GaAs基板上に形成したNi-Pめっき膜の応力解析西澤弘一郎; 松本歩; 福室直樹; 中川康幸; 佐久間仁; 後藤清毅; 八重真治20222022, vol.122, no.371
ノーマリオフ型EID AlGaN/GaN MOS-HEMTの大電流/高耐圧動作実証南條拓真; 品川友宏; 綿引達郎; 三浦成久; 古橋壮之; 西川和康; 江川孝志20222022, vol.122, no.371
Beyond 5G実現に向けたN極性GaN HEMTへの期待と課題吉田成輝; 牧山剛三; 早坂明泰; 眞壁勇夫; 中田健20222022, vol.122, no.371
[招待講演]マイクロ波ミリ波帯におけるGaN電力増幅器のための回路、デバイス技術松永高治20222022, vol.122, no.371
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