期刊


ISSN0320-7102
刊名Автометрия
参考译名自动测量学
收藏年代2002～2025



全部

2002 2003 2004 2005 2006 2007
2008 2009 2010 2011 2012 2013
2014 2015 2016 2017 2018 2019
2020 2021 2022 2023 2024 2025

2024, vol.60, no.1 2024, vol.60, no.2 2024, vol.60, no.3 2024, vol.60, no.4 2024, vol.60, no.5 2024, vol.60, no.6

题名作者出版年年卷期
СКАЛЫВАНИЕ ТВЁРДЫХ ПЛЁНОК СУБМИКРОННОЙ ТОЛЩИНЫ КАК МЕТОД ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОПЕРЕЧНЫХ СРЕЗОВ ГЕТЕРОСТРУКТУР ДЛЯ ПРОСВЕЧИВАЮЩЕЙ МИКРОСКОПИИ ВЫСОКОГО РАЗРЕШЕНИЯА. Б. Воробьёв; А. К. Гутаковский; В. Я. Принц20242024, vol.60, no.4
МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ ГЕРМАНИЯ НА Si(001) ДЛЯ ФОТОДЕТЕКТОРОВ СПЕКТРАЛЬНОГО ДИАПАЗОНА 1,31-1,55 МКМК. Б. Фрицлер; А. С. Дерябин; И. Д. Лошкарев; А. И. Никифоров; И. Б. Чистохин; А. В. Колесников; А. П. Василенко; О. П. Пчеляков; Л. В. Соколов; К. Э. Певчих; В. В. Светиков; А. К. Гутаковский20242024, vol.60, no.4
ЧЁРНЫЙ Al HA SiON, ПОЛУЧЕННЫЙ МЕТОДОМ МАГНЕТРОННОГО РАСПЫЛЕНИЯО. В. Наумова; А. В. Царев; Э. Г. Зайцева; А. Ю. Петин; Ю. А. Живодков; С. А. Пономарев; А. С. Ярошевич20242024, vol.60, no.4
ПОЛУПРОЗРАЧНЫЙ НАГРЕВАТЕЛЬ НА ОСНОВЕ ТОНКИХ ПЛЁНОК ЗОЛОТАД. А. Колосовский; С. В. Старинский20242024, vol.60, no.4
СТРУКТУРА И СВОЙСТВА ВЕРТИКАЛЬНО ОРИЕНТИРОВАННЫХ УГЛЕРОДНЫХ НАНОТРУБОК, ВЫРАЩЕННЫХ НА ПОВЕРХНОСТИ ОКСИДА ГАФНИЯД. В. Щеглов; С. В. Родякин; Д. А. Насимов; Н. Н. Курусь; А. С. Боровик; В. А. Селезнев; Л. И. Федина; Д. И. Рогило; О. И. Семенова; А. В. Латышев20242024, vol.60, no.4
ГОФРИРОВАННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ НАНОМЕМБРАНЫ НА ОСНОВЕ НАПРЯЖЁННЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР: ФОРМИРОВАНИЕ И МАГНИТОТРАНСПОРТВ. А. Селезнев; С. В. Голод; А. Б. Воробьёв; Е. В. Козик; А. В. Принц; В. Я. Принц20242024, vol.60, no.4
НАНОМЕТРОВЫЕ СЛОИ И СТРУКТУРЫ В КРЕМНИЕВОЙ ЭЛЕКТРОНИКЕВ. П. Попов; В. А. Антонов; М. С. Тарков; А. В. Мяконьких; К. В. Руденко20242024, vol.60, no.4
НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫЙ КОНДАКТАНС НАНОСИСТЕМ В УСЛОВИЯХ СЛАБОЙ СВЯЗИ С СВЧ-ГЕНЕРАТОРОМА. С. Ярошевич; В. А. Ткаченко; З. Д. Квон; Н. С. Кузьмин; О. А. Ткаченко; Д. Г. Бакшеев; И. В. Марчишин; А. К. Бакаров; Е. Е. Родякина; В. А. Антонов; В. П. Попов; А. В. Латышев20242024, vol.60, no.4
ВЛИЯНИЕ ВЛАЖНОСТИ И ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ НА ПРОЦЕСС ЛОКАЛЬНОГО АНОДНОГО ОКИСЛЕНИЯ ПОВЕРХНОСТИ Si(111) ЗОНДОМ АСМД. В. Щеглов; Л. И. Федина; А. В. Латышев20242024, vol.60, no.4
УСИЛЕНИЕ КОМБИНАЦИОННОГО РАССЕЯНИЯ СВЕТА В НАНОПРОВОЛОКАХ GaP С ГАЛЛИЕВОЙ КАПЛЕЙА. В. Тараненко; Л. С. Басалаева; В. В. Фёдоров; В. С. Тумашев; А. Г. Милёхин20242024, vol.60, no.4
12



制造业外文文献服务平台